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产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业
VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任
超细碳化硅杂质含量
2020-08-28T09:08:42+00:00
碳化硅百度百科
①黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于 溶胶凝胶法制备的SiC粉杂质含量最少,确定了溶胶凝胶方法的最佳工艺条件,得出除SiO2和C杂质的最优方法； (2)通过悬浮液光吸收方法确定了SiC粉体的最佳分散条件,并从分子结构上分析 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 我国碳化硅超细粉体产品质量与国外存在较大差距有以下四个主要原因： 1）国内生产企业缺少自主的研发系统，而研发单位又不具备产品的中试条件，产，学，研未能进行有效互动。 2）普 碳化硅超细粉体国内市场综述 市场研究 中经市场研究网
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 百度学术
碳化硅 (sic)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一反应烧结碳化硅 (rbsc)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料但是由于普通rbsc陶瓷的原料杂质 目前原位凝固成型需要制备高 固相含量（高于50v01％）低粘度（500mPa s）的SiC／C浆料，但由于SiC粉 体为纳米级粒径，比表面能高，采用原位凝固成型时难以制备满足此条件的 超细碳化硅 微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的分析 豆丁网但是在生产过程中，由于原料的不完全反应以及加工设备和外界环境的影响，使得加工成的碳化硅微粉存在很多杂质，这些杂质主要包括游离的碳、石墨、硅和二氧化硅、铁等金属及其氧化物 一种超细碳化硅粉的提纯方法
碳化硅的性能百度文库
目前该方法制得的细粉表面积 1~15m2/g,氧化物含量 10% 左右，金属杂质含量 1400~2800ppm（1ppm=106）。其细度和成分取决于粉碎、酸 洗等后续处理工艺和手段。碳 溶胶．凝胶法制备的SiC粉杂质含量最少，确定了溶胶．凝胶方法的最佳工艺条件，得出除Si02幂lC杂质的最优方法；（2）通过悬浮液光吸收方法确定了SiC粉体的最佳分散条件，并从分子结 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 豆丁网碳化硅超细粉体是一种平均粒径小于1μm（微米），SiC纯度大于99%，游离碳含量小于025%，三氧化二铁小于025%，密度在318 g/m3以上的碳化硅（SiC）超细粉体。 目前主要应用于纳米 通化市碳化硅（SiC）超细粉体对外合作项目 中国粉体网
超细碳化硅粉、高纯碳化硅粉 碳化硅粉 纳米微米碳化硅粉
阿里巴巴超细碳化硅粉、高纯碳化硅粉 碳化硅粉 纳米微米碳化硅粉，其他金属粉末，这里云集了众多的供应商，采购商，制造商。这是超细碳化硅粉、高纯碳化硅粉 碳化硅粉 纳米微米碳化 但是在生产过程中，由于原料的不完全反应以及加工设备和外界环境的影响，使得加工成的碳化硅微粉存在很多杂质，这些杂质主要包括游离的碳、石墨、硅和二氧化硅、铁等金属及其氧化物。 此法制得的sic粉纯度一般为 96%左右。 3sic粗粒料已能大量供应。 超细sic粉性能优于sic粗粒料，能够达到高新技术领域的严格要求，广泛应用于航空航天、 一种超细碳化硅粉的提纯方法 一种超细β碳化硅及其制备方法 【专利摘要】本发明公开了一种超细β碳化硅的制备方法，包括（1）混合样品；（2）高温反应；（3）煅烧除炭；（4）酸碱洗除杂四个步骤，其工艺步骤简单，操作方便，所制备的超细β碳化硅粒径为3μm左右，成本低、无α相碳化硅、杂质含量低、粒度分布均匀，β 一种超细β碳化硅及其制备方法
什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎
天然碳化硅称为碳硅石，首要赋存于金伯利岩及火山角闪岩中，但其量甚少，无挖掘价值。 工业用碳化硅为人工碳化硅，SiC含量为95%～995%，常含少量的游离碳，以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。 碳化硅按结晶类型可分为六方晶系 (αSiC)和立方晶系 (βSiC)，六方晶系又因其结晶排列的周期性不同有六方晶胞的晶型 (2H、4H、6H等)和 碳化硅超细粉体是一种平均粒径小于1μm（微米），SiC纯度大于99%，游离碳含量小于025%，三氧化二铁小于025%，密度在318 g/m3以上的碳化硅（SiC）超细粉体。 目前主要应用于纳米结构工件及器件：如冶金、化工、机械、航空、航天及能源等行业中使用的自润滑轴承，液体燃料喷嘴、坩埚；大功率高频模块、半导体元器件等。 金属及其他材 通化市碳化硅（SiC）超细粉体对外合作项目 中国粉体网 制备高值化的碳化硅陶瓷，对碳化硅微纳米粉体具有不同技术指标要求，制备纯度大于97%，平均粒径D50=1微米以下。 试验首先采用水流分级和高能纳米冲击磨对原始SiC粉料进行微纳米微纳米粉体加工。 研究结果表明：水流分级得到SiC微纳米粉体纯度9842%，中位粒径为0404μm的微纳米粉体材料，比表面积由08879m2/g提高 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究
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分散机纳米碳化硅高速分散机
纳米碳化硅高速分散机，纳米碳化硅高剪切分散机，纳米碳化硅纳米分散机，纳米碳化硅超细分散机，纳米碳化硅进口分散机，纳米碳化硅研磨分散机 IKN 分散机可以处理量大，运转更平稳，拆装更方便,适合工业化在线连续生产，粒径分布范围窄，分散效果佳，无死角，物料100%通过分散剪切。 实验实验用的硅源为北京红星泡花碱厂生产的工业 级水玻璃溶液,模数334,固含量为378 (质量分 数,下同)水玻璃溶液的固相成分中NaO 含量为 229,SiO!含量为766碳源为四川石油管理 局川南矿区出品的炭黑,纯度大于99,粒径在 01m左右【doc】水玻璃包覆炭黑直接制备超细SiC粉体 豆丁网溶胶凝胶法制备的SiC粉杂质含量最少,确定了溶胶凝胶方法的最佳工艺条件,得出除SiO2和C杂质的最优方法； (2)通过悬浮液光吸收方法确定了SiC粉体的最佳分散条件,并从分子结构上分析其原因； (3)通过计算素坯碳密度 (ρC),准确控制不同成型工艺下RBSC烧结体的密度,合适的ρC可以有效防止残留C的存在或硅线的产生,这一结果对RBSC陶瓷的物相组成控制具 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉
一种超细β碳化硅及其制备方法
一种超细β碳化硅及其制备方法 【专利摘要】本发明公开了一种超细β碳化硅的制备方法，包括（1）混合样品；（2）高温反应；（3）煅烧除炭；（4）酸碱洗除杂四个步骤，其工艺步骤简单，操作方便，所制备的超细β碳化硅粒径为3μm左右，成本低、无α相碳化硅、杂质含量低、粒度分布均匀，β 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 铁健 【摘要】： 在半导体相关产业,使用各种特性的SiC产品,除SiC基板外,其他产品对陶瓷用原料的SiC粒子或粉末要求有各自不同的特性。 开发自烧结SiC原料微纳米粉体应用于半导体制造业行业意义重大 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 碳化硅超细粉体是一种平均粒径小于1μm（微米），SiC纯度大于99%，游离碳含量小于025%，三氧化二铁小于025%，密度在318 g/m3以上的碳化硅（SiC）超细粉体。 目前主要应用于纳米结构工件及器件：如冶金、化工、机械、航空、航天及能源等行业中使用的自润滑轴承，液体燃料喷嘴、坩埚；大功率高频模块、半导体元器件等。 金属及其他材 通化市碳化硅（SiC）超细粉体对外合作项目 中国粉体网
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